สื่อต่างประเทศ: การตามให้ทันจีนในอุตสาหกรรมแร่หายาก? ชาติตะวันตกยังต้องใช้เวลาอีกนาน

ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของเครือข่าย 5G, บริการคลาวด์, ความเป็นจริงเสมือน และธุรกิจอื่นๆ ทำให้ปริมาณการรับส่งข้อมูลเครือข่ายเติบโตในอัตราที่น่าทึ่ง ในฐานะที่เป็นส่วนประกอบหลักของเครือข่ายการสื่อสารด้วยแสง ตัวปรับเปลี่ยนอิเล็กโทร-ออปติกก็กำลังเผชิญกับความต้องการความจุที่สูงขึ้นและการใช้พลังงานที่ต่ำลง ในบรรดาพวกเขานั้น ลิเธียมไนโอเบต (LiNbO3) ได้กลายเป็นผลิตภัณฑ์กระแสหลักในตลาดตัวปรับเปลี่ยนอิเล็กโทร-ออปติกความเร็วสูงในปัจจุบัน เนื่องจากข้อได้เปรียบตามธรรมชาติ เช่น ความเสถียรทางกายภาพและเคมีที่ดี, หน้าต่างการส่งผ่านแสงที่กว้าง (0.4μm ~ 5μm) และสัมประสิทธิ์อิเล็กโทร-ออปติกขนาดใหญ่

ลิเธียมไนโอเบตมีความสำคัญอย่างยิ่งคล้ายกับตำแหน่งของซิลิคอนในไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ดังนั้นจึงถูกเรียกว่า "ซิลิคอนเชิงแสง" ของยุคโฟโตนิกส์ ลิเธียมไนโอเบตเป็นวัสดุที่รวมเอาเอฟเฟกต์โฟโตรีแฟรกทีฟ, เอฟเฟกต์ที่ไม่เป็นเชิงเส้น, เอฟเฟกต์อิเล็กโทร-ออปติก, เอฟเฟกต์อะคูสโต-ออปติก, เอฟเฟกต์เพียโซอิเล็กทริก และเอฟเฟกต์เทอร์โมอิเล็กทริก และเป็นวัสดุเชิงฟังก์ชันแสงที่สำคัญมาก เป็นที่รู้จักกันดีในเรื่องเอฟเฟกต์อิเล็กโทร-ออปติก ตัวปรับเปลี่ยนอิเล็กโทร-ออปติกลิเธียมไนโอเบตสามารถแปลงข้อมูลอิเล็กทรอนิกส์เป็นข้อมูลโฟโตนิกส์ และถูกนำมาใช้อย่างแพร่หลายในระบบการสื่อสารด้วยแสงในปัจจุบัน ทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบหลักสำหรับการแปลงอิเล็กโทร-ออปติก

ตัวปรับเปลี่ยนลิเธียมไนโอเบตเป็นอุปกรณ์สำคัญสำหรับการสื่อสารทางไกลและมีข้อได้เปรียบที่ไม่มีใครเทียบได้ พวกเขามีเอฟเฟกต์ chirp ที่เล็กมาก, แบนด์วิดท์การมอดูเลตสูง, อัตราการสูญพันธุ์ที่ดี และความเสถียรของอุปกรณ์ที่ยอดเยี่ยม ทำให้พวกเขาโดดเด่นในบรรดาอุปกรณ์ความเร็วสูง ดังนั้นจึงมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการสื่อสารทางไกลความเร็วสูงและแบนด์วิดท์สูง

แม้ว่าตัวปรับเปลี่ยนลิเธียมไนโอเบตจะมีบทบาทสำคัญในการมอดูเลตการส่งผ่านของเครือข่ายหลักความเร็วสูงมานานหลายทศวรรษ แต่พวกเขาก็ประสบปัญหาคอขวดในพารามิเตอร์สำคัญสำหรับการเพิ่มอัตราการส่งข้อมูลเพิ่มเติม และมีขนาดค่อนข้างใหญ่ ซึ่งไม่เอื้อต่อการรวมเข้าด้วยกัน เทคโนโลยีชิปตัวปรับเปลี่ยนลิเธียมไนโอเบตแบบฟิล์มบางรุ่นใหม่ ผ่านกระบวนการไมโครนาโนล่าสุด ได้ผลิตตัวปรับเปลี่ยนลิเธียมไนโอเบตแบบฟิล์มบางที่มีประสิทธิภาพสูง ต้นทุนต่ำ ขนาดเล็ก ความสามารถในการผลิตจำนวนมาก และความเข้ากันได้กับกระบวนการ CMOS เทคโนโลยีนี้เป็นโซลูชันที่มีการแข่งขันสูงสำหรับการเชื่อมต่อด้วยแสงความเร็วสูงในอนาคต

ตาม "แผนงานการพัฒนาเทคโนโลยีอุตสาหกรรมอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ของจีน (2018-2022)" ที่ออกโดยสมาคมอุตสาหกรรมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ของจีน ปัจจุบัน ชิปและอุปกรณ์การสื่อสารด้วยแสงหลักภายในประเทศยังคงต้องพึ่งพาการนำเข้าเป็นอย่างมาก โดยอัตราการผลิตภายในประเทศของชิปและอุปกรณ์การสื่อสารด้วยแสงระดับไฮเอนด์ไม่เกิน 10% จำเป็นต้องพยายามเพื่อให้ได้ส่วนแบ่งตลาดของชิปและอุปกรณ์ตัวปรับเปลี่ยนลิเธียมไนโอเบตเกิน 5%-10% ภายในปี 2020 แทนที่การนำเข้าอย่างต่อเนื่อง ขยายส่วนแบ่งตลาด และบรรลุส่วนแบ่งตลาดมากกว่า 30% ภายในปี 2022