Üretim süreci 7 nanometrenin altındaki aralıklara girdiğinde, transistörlerin kapı dielektrik katmanının kalınlığı 5 nanometreden azdır - yan yana sıralanan 30 atoma eşdeğerdir.Bu noktada, geleneksel silikon dioksit (SiO)₂Dolayısıyla, nadir toprak elementlerinin eklenmesi, yarı iletkenlerin bu fiziksel sınırı aşmasını sağladı.
Yüksek-k dielektrik işlem çözeltinin çekirdeğidir.₂), ancak saf HfO'nun dielektrik sabiti (k değeri)₂Bu nedenle, iki nadir toprak elementi olan lantan (La) ve itiyum (Y) dielektrik katmana " davet edildi:birkaç angstrom kalınlığında bir lantan oksit tabakası (La₂O.₃) HfO yüzeyinde depolanır.₂Yüksek sıcaklıkta kaynatıldıktan sonra, lantan iyonları dielektrik ve silikon arasındaki arayüzde yayılır ve " arayüz dipolleri " oluşturur.Bu, transistör için bir "teglik düzenleyicisi" kurmak gibidir.Bu, aynı performans altında çipin güç tüketiminin %30 azaltabileceği anlamına gelir.Değişim hızı %20 artırılabilir..
Bu "nadir toprak güçlendirme" daha ileri teknoloji alanlarına da yayılıyor.Amerika Birleşik Devletleri'ndeki Lawrence Livermore Ulusal Laboratuvarı tarafından geliştirilen thulium (Tm) lazer, 2μM lazerler, EUV ışık kaynaklarının verimliliğini mevcut% 0.02'den% 0.2'ye yükseltmesi bekleniyor - bu litografi makinelerinin güç tüketiminin% 90'a düşebileceği anlamına geliyor,ve maliyet yarıya düşebilir.. 5G RF alanında, alüminyum skandyum nitrit (AlScN) filmleri, skandyum (Sc) eklenmesi nedeniyle, saf alüminyum nitrit (AlN) 'in üç katı piyoelektrik performansına sahiptir.Onları BAW filtrelerinin "performans kralı" haline getirerek ve cep telefonlarının 5G yüksek frekanslı bantta yüksek hızlı iletişim sağlayabileceklerini doğrudan belirleyerek.
Mesajınız 20-3.000 karakter arasında olmalıdır!
