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Cible de pulvérisation en alliage d'aluminium et de scandium pour les filtres acoustiques 5G avec des performances piézoélectriques améliorées

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Cible de pulvérisation de terbium pour le stockage magnéto-optique à haute performance et les films de modulateur optique

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Cible de pulvérisation de scandium haute performance pour les filtres RF 5G et les appareils électro-optiques avancés

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Cible de pulvérisation de samarium pour films métalliques à haute réflectivité et revêtements conducteurs transparents

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Cible de pulvérisation d' ytterbium comme couche de cathode OLED avancée pour des écrans plus lumineux et plus durables

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Cible de pulvérisation cathodique au lanthane à haute constante diélectrique pour la fabrication de puces de mémoire à semi-conducteurs sans fuite

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CAS 12024-21-4 Oxyde de gallium Ga2O3 activateur de phosphore poudre blanche

CAS #: 12024-21-4

Formule moléculaire: GA2O3

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Poudre d'oxyde d'indium jaune In2O3 1312-43-2 Matériaux de revêtement ITO

CAS #: 1312-43-2

Formule moléculaire: IN2O3

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Pureté 99,999 Oxyde de tellure TeO2 7446-07-3 Substrat pour la croissance de monocristaux

CAS #: 7446-07-3

Formule moléculaire: Teo2

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99.999 Pureté Tellurium Te Composant en alliage spécial et additif essentiel pour les appareils électroniques

CAS #: 13494-80-9

Formule moléculaire: Te

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Production d'alliages de niobium Nb pour l'aérospatiale, les supraconducteurs et les hautes températures

CAS #: 7440-03-1

Formule moléculaire: NB

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99.99% Pureté Nb2O5 Oxyde de niobium pour les alliages supraconducteurs

CAS #: 1313-96-8

Formule moléculaire: NB2O5

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99.99% Métal rare Tantalum Ta Pour la fabrication de condensateurs, cibles de pulvérisation

CAS #: 7440-25-7

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