गैलियम ऑक्साइड (Ga2O3): एलईडी फॉस्फोरस के लिए सक्रियक, लेजर/स्किंटिलेशन क्रिस्टल के लिए कच्चा माल
गैलियम ऑक्साइड एक अकार्बनिक यौगिक है जिसका रासायनिक सूत्र Ga2O3 है। सफेद त्रिकोणीय क्रिस्टलीय कण। पानी में अघुलनशील। गर्म एसिड या क्षारीय घोल में थोड़ा घुलनशील।पिघलने का बिंदु 1900°C (600°C पर β-प्रकार में बदल जाता है). क्षार धातु हाइड्रॉक्साइड और पतले अकार्बनिक एसिड में आसानी से घुलनशील है। इसमें α और β बहुरूप हैं। α-प्रकार सफेद रोम्बोहेड्रल हेक्साहेड्रन है।
उत्पाद श्रृंखला
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उत्पाद |
उत्पाद कोड |
सुरक्षा डेटा |
तकनीकी डेटा |
| गैलियम ऑक्साइड 99.99% | ET-Ga-01 | गैलियम ऑक्साइड.pdf | गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 99.99.pdf |
| गैलियम ऑक्साइड 99.999% | ET-Ga-02 | गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 99.999.pdf |
| संकेत शब्द | नहीं |
| खतरे के विवरण | नहीं |
| खतरनाक कोड | नहीं |
| सावधानी संबंधी कथन | नहीं |
| फ्लैश प्वाइंट | नहीं |
| जोखिम कोड | लागू नहीं |
| सुरक्षा कथन | नहीं |
| RTECS संख्या | नहीं |
| परिवहन सूचना | नॉन एचएच |
| WGK जर्मनी | 2 |
पैकेजिंग विनिर्देश
गैलियम ऑक्साइड धातु गैलियम का ऑक्साइड है और एक अर्धचालक यौगिक भी है। अब तक पांच क्रिस्टल रूपों की पुष्टि की गई हैः α, β, γ, δ, ε, जिनमें β संरचना सबसे स्थिर है।गैलियम ऑक्साइड के क्रिस्टल विकास और भौतिक गुणों पर अधिकांश शोध β संरचना पर केंद्रित हैशोधकर्ताओं ने धातु-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर बनाने का प्रयास किया है। हालांकि वे निष्क्रियता सुरक्षात्मक फिल्मों के बिना सरल संरचनाएं थीं,नमूनों में पहले से ही उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज और कम रिसाव वर्तमान की विशेषताएं थींसिलिकॉन कार्बाइड या गैलियम नाइट्राइड के साथ इसी तरह के घटकों का निर्माण करते समय आमतौर पर इन नमूना विनिर्देशों को प्राप्त करना मुश्किल होता है।
गैलियम ऑक्साइड तैयार करने के मुख्य प्रवाह के तरीकोंः β-Ga2O3 क्रिस्टल विकास के दौरान विभिन्न कच्चे माल की स्थिति के अनुसार, क्रिस्टल विकास विधियों को विभाजित किया जा सकता हैः समाधान विधि, पिघलने की विधि,वाष्प चरण विधि, ठोस चरण विधि, आदि पिघलने की विधि सबसे पहले अध्ययन और सबसे व्यापक रूप से इस्तेमाल किया क्रिस्टल Chemicalbook वृद्धि विधि है और वर्तमान में β-Ga2O3 थोक एकल क्रिस्टल की वृद्धि के लिए आम विधि है.पिघलने की विधि उच्च गुणवत्ता वाले, कम लागत वाले β-Ga2O3 थोक एकल क्रिस्टल उगाने में सक्षम है, जिनमें से सबसे अधिक उपयोग की जाने वाली वृद्धि विधियां मुख्य रूप से दो हैंःCzochralski विधि और किनारे-परिभाषित फिल्म-फीड वृद्धि (EFG) विधि.
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