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CAS 12024-21-4 Ossido di Gallio Ga2O3 Attivatore Fosforico Polvere Bianca

CAS 12024-21-4 Ossido di Gallio Ga2O3 Attivatore Fosforico Polvere Bianca

CAS 12024-21-4 Ossido di Gallio

Ossido di Gallio Ga2O3

Ga2O3 Attivatore Fosforico Polvere Bianca

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Dettagli del prodotto
CAS #:
12024-21-4
Formula molecolare:
GA2O3
EC No.:
234-691-7
Purezza:
99.99-99.999%
Peso molecolare:
187.44
Aspetto:
Polvere bianca
Punto di fusione:
1.900 ° C (3.452 ° F)
Punto di ebollizione:
N / A
Densità:
5,88 g/cm3
Messa esatta:
187.835 g/mol
Massa monoisotopica:
185.835906 da
Evidenziare:

CAS 12024-21-4 Ossido di Gallio

,

Ossido di Gallio Ga2O3

,

Ga2O3 Attivatore Fosforico Polvere Bianca

Termini di trasporto & di pagamento
Quantità di ordine minimo
500 g
Imballaggi particolari
0,5-1 chilogrammo per bottiglia, 50 chilogrammi per fusto, 500 chilogrammi per pallet
Tempi di consegna
45-60 giorni feriali
Termini di pagamento
T/t
Capacità di alimentazione
5000 kg
Descrizione di prodotto

Ossido di Gallio (Ga₂O₃): Attivatore per fosfori LED, materia prima per cristalli laser/scintillazione

L'ossido di gallio è un composto inorganico con formula chimica Ga2O3. Particelle cristalline bianche triangolari. Insolubile in acqua. Leggermente solubile in acidi caldi o soluzioni alcaline. Punto di fusione 1900°C (si trasforma in tipo β a 600°C). Facilmente solubile in idrossidi di metalli alcalini e acidi inorganici diluiti. Ha polimorfi α e β. Il tipo α è un esaedro romboedrico bianco.

 

Applicazioni

  1. Utilizzato come attivatore nei fosfori LED
  2. Utilizzato come materia prima per cristalli di scintillazione speciali o cristalli laser.

 

Serie di prodotti

Prodotto

Codice prodotto

Scheda di sicurezza

Dati tecnici

Ossido di Gallio 99,99% ET-Ga-01 Gallium oxide.pdf Gallium Oxide Ga2O3 99.99.pdf
Ossido di Gallio 99,999% ET-Ga-02   Gallium Oxide Ga2O3 99.999.pdf

 

Informazioni sulla salute e la sicurezza

Parola di segnalazione N/A
Indicazioni di pericolo N/A
Codici di pericolo N/A
Consigli di prudenza N/A
Punto di infiammabilità N/A
Codici di rischio Non applicabile
Consigli di sicurezza N/A
Numero RTECS N/A
Informazioni sul trasporto NONH
WGK Germania 2

 

 

Specifiche di imballaggio

  • Imballaggio standard: 50 kg/fusto, 500 kg/pallet, sacchi da tonnellata
  • Imballaggio campione: 500 g/sacchetto, 1 kg/bottiglia

 

Informazioni sull'ossido di gallio

L'ossido di gallio è l'ossido del gallio metallico e anche un composto semiconduttore. Finora sono state confermate cinque forme cristalline: α, β, γ, δ, ε, tra le quali la struttura β è la più stabile. La maggior parte della ricerca sulla crescita dei cristalli e sulle proprietà fisiche dell'ossido di gallio si concentra sulla struttura β. I ricercatori hanno tentato di fabbricare transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore. Sebbene fossero strutture semplici senza film protettivi di passivazione, i campioni mostravano già caratteristiche di alta tensione di rottura e bassa corrente di dispersione. Quando si realizzano componenti simili con carburo di silicio o nitruro di gallio, di solito è difficile raggiungere queste specifiche del campione.

Metodi di preparazione dell'ossido di gallio più diffusi: In base ai diversi stati della materia prima durante la crescita del cristallo β-Ga2O3, i metodi di crescita dei cristalli possono essere suddivisi in: metodo della soluzione, metodo della fusione, metodo della fase vapore, metodo della fase solida, ecc. Il metodo della fusione è il metodo di crescita dei cristalli Chemicalbook più studiato e ampiamente utilizzato, ed è attualmente il metodo comune per la crescita di singoli cristalli sfusi di β-Ga2O3. Il metodo della fusione può far crescere singoli cristalli sfusi di β-Ga2O3 di alta qualità e a basso costo, tra i quali i metodi di crescita più comunemente utilizzati sono principalmente due: metodo Czochralski e metodo di crescita film-fed a bordo definito (EFG).

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