เป้าหมายการสปัตเตอร์แลนทานัมไดอิเล็กตริกสูงสำหรับการผลิตชิปหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์ที่ปราศจากการรั่วไหล

เป้าหมายการสปัตเตอร์แลนทานัมเป็นวัสดุฟังก์ชันที่มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในเซมิคอนดักเตอร์, สารเคลือบผิวแบบออปติคัล และสาขาการวิจัย ผลิตภัณฑ์ทำจากโลหะแลนทานัมที่มีความบริสุทธิ์สูงผ่านกระบวนการผลิตที่แม่นยำ มีคุณสมบัติโดดเด่นในด้านความสม่ำเสมอของฟิล์ม, ความหนาแน่น และความเสถียรในการสปัตเตอร์ เหมาะสำหรับกระบวนการเคลือบต่างๆ เช่น การสปัตเตอร์แบบแมกนีตรอนและการสปัตเตอร์แบบไอออนบีม

พื้นที่การใช้งาน

1. ชิปหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์: ใช้สำหรับเตรียมฟิล์มแลนทานัมออกไซด์ที่มีค่าไดอิเล็กทริกสูงเพื่อแก้ปัญหาการรั่วไหลของหน่วยความจำและปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ เป้าหมายแลนทานัมที่มีความบริสุทธิ์สูงผลิตฟิล์มแลนทานัมออกไซด์ที่มีค่าไดอิเล็กทริกสูง (24-27) และมีอุปสรรคต่อการเชื่อมต่อกับพื้นผิว Si ที่ดี ซึ่งช่วยแก้ปัญหาการรั่วไหลในชิปหน่วยความจำได้อย่างมีประสิทธิภาพ

2. สารเคลือบผิวแบบออปติคัล: ใช้สำหรับส่วนประกอบออปติคัลอินฟราเรด, สารเคลือบป้องกันการสะท้อนแสง และสารเคลือบแก้วพิเศษ

3. การทดลองวิจัย: ใช้สำหรับการวิจัยวัสดุใหม่, การศึกษาฟิสิกส์ฟิล์มบาง และวิศวกรรมพื้นผิว

4. ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์: ใช้สำหรับเตรียมตัวต้านทานฟิล์มบาง, ตัวเก็บประจุ และเซ็นเซอร์

คุณสมบัติทางทฤษฎี

ข้อมูลด้านสุขภาพและความปลอดภัย

ข้อมูลจำเพาะของบรรจุภัณฑ์

บรรจุภัณฑ์แบบกำหนดเอง: สามารถจัดหาโซลูชันบรรจุภัณฑ์พิเศษได้ตามความต้องการของลูกค้า

เกี่ยวกับเป้าหมายการสปัตเตอร์แลนทานัม

เป้าหมายการสปัตเตอร์แลนทานัมเป็นวัตถุดิบสำคัญสำหรับการเตรียมฟิล์มบางระดับไฮเอนด์ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในสาขาชิปหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์ ฟิล์มแลนทานัมออกไซด์ที่เตรียมขึ้น มีค่าไดอิเล็กทริกสูงและคุณสมบัติการเชื่อมต่อที่ดีเยี่ยม ได้กลายเป็นวัสดุสำคัญในการแก้ปัญหาการรั่วไหลในอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ เรามีผลิตภัณฑ์เป้าหมายที่มีความบริสุทธิ์สูง หลากหลายขนาด และสนับสนุนการประมวลผลแบบกำหนดเอง เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลายของการวิจัยและการผลิตทางอุตสาหกรรม